4月22日上午，国家杰出青年基金获得者、华中科技大学翟天佑教授应邀在我校方荫楼5510作了一场《金属硫属二维材料的气相控制合成与光探测性能》的报告。

    该报告讲述了金属硫族二维材料独特的结构、丰富的种类、优异的物理化学性质，以及能够满足光电器件集成化、柔性化、高性能以及低功耗的发展目标，已经成为国际前沿科学研究的焦点。为实现金属硫族二维材料在光电信息功能器件领域的实际应用，就必须解决目前高质量材料制备困难、器件性能优势不突出等问题，而如何发展稳定、可控的材料制备方法实现高质量材料的制备以及提升光电器件性能就成为该领域的重要挑战。翟老师课题组主要从事无机材料合成化学及其微纳光电器件研究，在金属硫属化合物的可控制备与光探测性能调控方面取得代表性成果：1）发展了近稳态供源和限域空间生长方法，实现了若干高质量金属硫属二维材料（SnSe2，ReSe2等）及其异质结的气相沉积生长的可控制备；2）发展了缺陷抑制和能带调控策略，实现了金属硫属二维材料光探测性能的显著提升。

    翟天佑，华中科技大学材料科学与工程学院教授/博士生导师，材料成形与模具技术国家重点实验室副主任/首席教授，国家杰出青年基金获得者(2018年)，科技部中青年科技创新领军人才（2018年），全球高被引科学家 (2015/2018年)，英国皇家化学会会士(2017年)，国家优秀青年基金获得者(2013年)，中组部青年计划入选者(2012年)，曾获国家自然科学二等奖（5/5, 2014年）和中国化学会青年化学奖 (2014年)。主要从事无机材料合成化学与光电器件方面的研究，以第一或通讯作者身份在Chem. Soc. Rev. (2), Prog. Mater. Sci. (2), Adv.Mater.(19), Angew.Chem. Int. Ed. (3), JACS (2), Nat. Commun. (1), Adv. Funct. Mater. (23), ACS Nano(5)等期刊上发表论文162篇(72篇IF>10，125篇IF>5)，所有论文SCI期刊引用11000余次，H因子57。主持编纂英文专著1本，受邀撰写两本专著中的5章；申请中国和日本专利15项，授权6项；先后担任Science Bulletin和 Frontiers in Chemistry副主编，《科学通报》、《无机材料学报》、《无机化学学报》编委。担任中国化学会青年化学工作委员会委员，中国材料研究学会青年委员会理事和纳米材料与器件分会理事，中国电子学会半导体科技青年专委会委员等。

    供  稿：化学化工学院

    图  片：大通社摄影设计中心

    编  辑：刘依然